2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

2017年9月6日(水) 09:30 〜 11:30 PA9 (国際センター1F)

09:30 〜 11:30

[6a-PA9-4] トリクロロエチレンによる有機SiガスAPCVD低温酸化Si膜中の残留OH量減少の効果

堀田 將1、ジェイン プーニート1 (1.北陸先端大)

キーワード:酸化シリコン膜、低温作製、有機シリコンガス

高絶縁性低温酸化Si膜のより低温作製が望まれている。我々、環境や人体に優しく、安価なシリコーンオイル(SO)とオゾンO3を用いた大気圧CVD法により200oC前後での酸化Si膜作製を検討した。トリクロロエチレン(TCE)ガスを併用することにより堆積速度が従来に比べて3倍以上に増加すると共に、絶縁性を著しく阻害する膜中の残留OH基量の減少にも大きな効果があることを見出した。