[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-10] 4H-SiC 溶液成長における積層欠陥との相互作用により生じる貫通らせん転位の変換挙動

〇加渡 幹尚¹、原田 俊太²、関 和明³、大黒 寛典¹、楠 一彦³、宇治原 徹² (1.トヨタ自動車、2.名古屋大、3.新日鐵住金)

キーワード：SiC、溶液成長、転位

溶液法によるSiC結晶成長では、貫通転位の基底面内欠陥への変換などにより、低転位密度のSiC結晶が得られる可能性が示されている。これまで、貫通転位の変換はマクロステップが貫通転位上を通過することで生じることが分かっている一方で、異種の欠陥同士が結晶成長中に相互に与える影響については、明らかでない。本発表では、貫通らせん転位の伝播挙動に積層欠陥が与える影響について報告する。