[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-11] SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減

〇劉 欣博¹、原田 俊太¹、村山 健太¹、村井 良多¹、肖 世玉¹、田川 美穂¹、宇治原 徹^1,2 (1.名大工、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、溶液成長、転位

成長表面安定性の観点から、SiC溶液法によるバルク成長ではC面成長が主流であるが、C面での成長では成長表面にマクロステップが形成しにくいため、欠陥変換がほとんど起こらない。これまでに我々は、溶媒にTiを添加することによりC面上での成長において、成長表面にマクロステップを形成し、貫通らせん転位を基底面欠陥に変換することに成功している。本研究では、Si-Ti溶媒を用いたC面成長における貫通転位密度の変化を評価した。