[6p-A201-1~20] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[6p-A201-18] Variation of luminescence intensity of color centers in SiC p⁺nn⁺ diodes due to bias voltage

〇Tomoya Honda^1,2, Hiroki Tsunemi^1,2, Kazutoshi Kojima³, Shin-ichiro Sato², Takahiro Makino², Shinobu Onoda², Yasuto Hjikata¹, Takeshi Ohshima² (1.Saitama Univ., 2.QST, 3.AIST)

Keywords:silicon carbide, color center

SiC中の点欠陥を利用し、単一で固有の光子を規則的に生成する単一光子源（SPS）の生成や、スピンを利用した量子センシングへの応用が注目されている。これまでに我々は、SiC pnダイオードの電極近傍で電流注入や光励起によって室温動作する高輝度SPSを発見しているが物性は未解明な部分が多い。本研究では、プレーナー型SiC p⁺nn⁺ダイオードを作製し、デバイスへのバイアス電圧印加がSPSの発光特性に及ぼす影響について調べた。