[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-19] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御

〇梅田 享英¹、阿部 裕太¹、岡本 光央²、原田 信介²、春山 盛善³、加田 渉³、花泉 修³、小野田 忍⁴、大島 武⁴ (1.筑波大数物、2.産総研、3.群馬大、4.量研機構)

キーワード：炭化ケイ素、単一光子源、MOS型電界効果トランジスタ

炭化ケイ素（4H-SiC）のMOS型電界効果トランジスタのチャネル領域に埋め込まれた単一光子源（SPS）についての研究報告を行う。これまでの報告ではSPS観察のためにMOSゲート電極の除去が必要であったが、今回はMOSゲート電極を残したまま観察できるように加工を施した。その結果、MOSゲート電圧操作によってSPSの発光のオンオフを確認することができた。