[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-18] SiC p⁺nn⁺ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化

〇本多 智也^1,2、常見 大貴^1,2、児島 一聡³、佐藤 真一郎²、牧野 高紘²、小野田 忍²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼大院理工、2.量研、3.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、発光中心

SiC中の点欠陥を利用し、単一で固有の光子を規則的に生成する単一光子源（SPS）の生成や、スピンを利用した量子センシングへの応用が注目されている。これまでに我々は、SiC pnダイオードの電極近傍で電流注入や光励起によって室温動作する高輝度SPSを発見しているが物性は未解明な部分が多い。本研究では、プレーナー型SiC p⁺nn⁺ダイオードを作製し、デバイスへのバイアス電圧印加がSPSの発光特性に及ぼす影響について調べた。