[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-20] 4H-SiC MOSFETチャネル中の単一光子源に対する水素の影響

〇阿部 裕太¹、岡本 光央²、小野田 忍³、大島 武³、春山 盛善^3,4、加田 渉⁴、花泉 修⁴、原田 信介²、鹿児山 陽平¹、梅田 享英¹ (1.筑波大数物、2.産総研、3.量研、4.群大)

キーワード：単一光子源、酸化膜界面、炭化ケイ素

量子センシングへの応用を目指した単一光子源（SPS）の研究が精力的に進められており、我々もSiC-MOSFETのチャネル領域中に高輝度発光する室温SPSを発見した。 SPSの発生は界面酸化プロセスに依存しており、特にC面でのウェット酸化とドライ酸化で大きく異なるため、水素がSPSの発生に関与していることが考えられる。 そこで本研究は、水素について異なるプロセスを経たMOSFET中のSPSを評価し、その結果からSPSと水素の関連性を報告する。