[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-4] 4H-SiC中のシングルショックレー型積層欠陥の拡大/縮小現象解明を目指したエネルギーモデル

〇飯島 彬文¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、積層欠陥

SiCバイポーラデバイス中に存在する基底面転位は、通電時に積層欠陥の形成核となり、デバイス特性の劣化を引き起こすため、その物性解明が必要不可欠となっている。一方で、ある条件下では積層欠陥が縮小することも知られている。本研究では、キャリアのエネルギー利得を用いて、積層欠陥の拡大/縮小の臨界閾値を計算した。その閾値は温度や過剰キャリア密度に依存することを定量的に明らかにした。