[6p-A201-1~20] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[6p-A201-5] The evaluation of the stress effect for stacking fault in 4H-SiC

〇Akihiro Goryu¹, Akira Kano¹, Mitsuaki Kato¹, Kenji Hirohata¹, Aoi Okada¹, Chiharu Ota¹, Joji Nishio¹, Masaki Miyazato^3,4, Tomohisa Kato⁴, Yoshiyuki Yonezawa⁴, Satoshi Izumi², Hajime Okumura⁴ (1.Toshiba, 2.Univ. of Tokyo, 3.Fuji Electric, 4.AIST)

Keywords:stacking fault, four point bending, bipolar degradation

SiC-PiNダイオードで発生する積層欠陥への応力依存性を調査するため，引張/圧縮応力場において積層欠陥が発生する閾値電流を測定した．<11-20>方向に-300 MPaの圧縮応力を印加した場合，無応力時と比べ閾値が約30 A/cm²低下した．また，<1-100>方向へ+300 MPaの引張応力を加えることで閾値が約40 A/cm²低下し，積層欠陥の発生/進展に応力が影響を与える可能性を実験的に示した．