[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [6p-A201-6] 4H-SiC PiN ダイオードの順方向通電劣化における電流密度と積層欠陥拡張起点の関係（Ⅱ）

〇林 将平^1,2、山下 任^1,3、先崎 純寿¹、宮里 真樹^1,4、呂 民雅^1,4、宮島 將昭^1,4、加藤 智久¹、米澤 喜幸¹、児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.昭和電工、4.富士電機)

キーワード：SiC、順方向通電劣化、基底面転位

4H-SiCバイポーラデバイスでは、順方向通電時にエピウェハ内の基底面転位(BPD)を起源とした積層欠陥(SF)の拡張により順方向電圧上昇を引き起こす。我々はSF拡張電流密度と起点BPDの関係について、エピ/基板界面近傍で貫通刃状転位(TED)に転換したBPD はエピ層中のBPDに対し高電流密度で拡張し、350-600Acm^-2 の範囲で大きなばらつきが生じることを明らかにした。本研究では、SF拡張電流密度のばらつき要因について、BPD-TED転換位置に着目し詳細に調査した。