[6p-A203-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

[6p-A203-19] 熱刺激電流計測法を用いたTADF素子のキャリアトラップおよび劣化解析

〇八尋 正幸¹、筒井 裕子¹、藤原 隆¹、筒井 哲夫²、安達 千波矢³ (1.九州先端研、2.CEREBA、3.九大OPERA)

キーワード：有機EL、劣化解析、熱刺激電流計測

熱刺激電球計測法を用いて、TADFを用いた有機EL素子のキャリアトラップ測定と劣化解析を行った。その結果、劣化の進行に伴い変化する高温側のTSCは、TADF材料である4CzIPNとホールブロック層であるT2Tの相互作用により形成された電子トラップであることが分かった。この有機EL素子の劣化機構の一つとして、4CzIPNとT2Tの相互拡散によるトラップ密度の増加と同時にT2Tの分解が進むことにより、さらに深いトラップへと変化することにより劣化が進行する可能性が強く示唆された。