[6p-A204-1~23] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[6p-A204-16] Development of n-PERT solar cell using non mass separation type ion implantation

〇Noboru Yamaguchi¹, Daisuke Hironiwa¹, Hideo Suzuki¹, Kazuo Muramatsu², Kyotaro Nakamura³ (1.ULVAC, 2.NAMICS, 3.Meiji University)

Keywords:ion implantation, n-PERT

n-PERT(Passivated Emitter, Rear Totally- diffused)太陽電池のp+、n+層の形成において、イオン注入法が量産工程に導入され、製造コストを下げる観点からは非質量分離型のイオン注入装置が注目されている。当初の実験ではエミッタ層をBF3のイオン注入によって形成すると、従来方式のAPCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)を用いた手法と比較して変換効率が劣っていた。本研究では非質量分離型でのBF3注入の課題を解決し、APCVD方式と同等以上の太陽電池特性が得られたので、その成果について報告する。