[6p-A301-8~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [6p-A301-10] X線トポグラフ法によるGaN結晶の評価

〇北野 祐子¹、宮川 理子¹、正露 瑞季¹、秋本 晃一¹ (1.日本女子大学)

キーワード：GaN結晶、X線トポグラフ法、キャリアガス

キャリアガス中でのHVPE法によるGaN成長において、成長条件の違いによる結晶表面格子の状態をシンクロトロン放射光を用いたX線トポグラフ法によって観察し解析を行った。実験で得られたトポグラフ画像について、結晶面の傾きΔθ[sec]と結晶面間隔の伸縮Δd/dをそれぞれ分離させた画像を作成し、GaN結晶の表面格子を評価した。本報告では、c面GaN薄膜上に様々なキャリアガス条件でHVPE成長させたGaN結晶の解析について論ずる。