[6p-A301-8~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6p-A301-13] RFスパッタ法による金属配向膜上への窒化ガリウム系圧電薄膜の作製と元素添加による圧電性能の飛躍的な向上

〇上原 雅人^1,3、水野 孝昭²、長瀬 智美¹、會田 康弘²、重本 北斗³、田中 早紀³、山田 浩志^1,3、秋山 守人¹ (1.産総研、2.村田製作所、3.九大総理工)

キーワード：窒化ガリウム、圧電薄膜、RFスパッタ

Q値の高いAlN等の窒化物圧電体は、BAWフィルタやセンサ等、MEMS利用が期待されている。しかし、GaNの圧電体としての報告は少なく、量産可能なRFスパッタでの良質な圧電薄膜の例はない。今回、金属配向膜上に製膜することで、単結晶と同等の圧電定数を示す良質なGaN圧電薄膜の作製に成功した。さらに元素添加した結果、圧電定数が飛躍的に向上した。