[6p-A301-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～

[6p-A301-2] 酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展

〇秩父 重英¹、斉藤 真^1,2、包 全喜^1,3、栗本 浩平³、冨田 大輔¹、嶋 紘平¹、小島 一信¹、鏡谷 勇二²、茅野 林造³、石黒 徹¹ (1.東北大多元研、2.三菱ケミカル、3.日本製鋼所)

キーワード：窒化ガリウム、アモノサーマル法

パワーデバイス用途の、反りや転位の殆ど無いGaN基板を提供する手法として期待される、酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法によるGaN結晶合成に関する、東北大・三菱ケミカル・日本製鋼所の三者協働による研究の進展と成果に関して紹介する。