[6p-A301-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～

[6p-A301-3] GaN縦型パワーデバイスにおける点欠陥制御の重要性

〇須田 淳^1,2,3、堀田 昌宏³ (1.名大院工、2.名大未来材シス研、3.京大院工)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス、点欠陥

本講演では、エピ、イオン注入を中心GaN縦型パワーデバイス実現に向けた点欠陥の研究状況、今後取り組むべき課題について述べる。