[6p-A301-1~7] Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity of Nitride Semiconductors ~Crystal Growth, Characterization and Application for Advanced GaN Electron Devices~

[6p-A301-6] Electron-phonon interaction and crystal quality of III-nitride semiconductors

〇Yoshihiro Ishitani¹, Bei Ma¹, Kensuke Oki¹, Hironori Sakamoto¹, Ken Morita¹ (1.Chiba Univ.)

Keywords:III-nitride semiconductors, Electron-phonon interaction, Spectroscopy

近年窒化物半導体の結晶性が向上し、HEMTの高性能化、発光デバイスの短波長化が進んでいる。物性評価においても実験装置の進歩や解析手法の進歩により、深い準位による電子捕獲・再結合過程や電子・正孔再結合過程の解明が進展した。しかし、HEMTのチャネルにおける高速な電子走行や発光素子の電子・正孔再結合が起こっている場所では高速な電子‐フォノン系の相互作用が電子移動度や励起子ポピュレーションの寿命を変化させる。フォノンと電子系との相互作用は古くから研究されているが、励起空間のエネルギーダイナミクスの観点での研究は多くはない。本講演では、フォノンとキャリアとの相互作用が光学測定によりどのように評価されるかについて赤外分光およびラマン分光を中心に示し、GaNを中心とする深い準位に関する電子遷移過程について、これまでの様々な研究結果を参照しつつ、我々の研究室で行われてきた結果について示す。