[6p-A412-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

△ [6p-A412-13] The improvement of cutoff frequency for ALD-Al₂O₃ 2DHG diamond with high electric field>4×10⁵V/cm

〇(B)Shoichiro Imanishi¹, Nobutaka Oi¹, Takuya Kudo¹, Satoshi Okubo¹, Kiyotaka Horikawa¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada^1,2 (1.Waseda univ., 2.Zaiken)

Keywords:diamond, MOSFET, high frequency

ダイヤモンドは優れた物性を有しており、特に、高周波高出力デバイスとして期待されている。高周波デバイスにおいて重要な指標であるカットオフ周波数はソース・ゲート間においてキャリア（正孔）が飽和速度に達し得る電圧を印加することにより向上の期待が持てる。本研究では高電界下での高周波特性をシミュレーションと実際に作製したデバイスにより評価する。