[6p-A412-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

[6p-A412-15] Device Simulation of Diamond SGFET(Solution Gate Field Effect Transistor)

〇(B)Yutaro Iyama¹, Shuhei Abe¹, Keisuke Igarashi¹, Masahumi Inaba^1,2, Nobutaka Oi¹, Yukihiro Shintani^1,3, Hiroshi Kawarada¹ (1.Waseda Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Yokogawa Electric. Corp)

Keywords:diamond, SGFET, ISFET

本研究では、ダイヤモンドSGFET(電解質溶液ゲートFET)をシミュレーションした。用いたシミュレータでは液体を設定できないため、固体の物質に液体の物性値を当てはめ、疑似的に液体を再現した。電気二重層を比誘電率ε、厚さtの誘電体に置き換え、電気二重層以外の溶液部分が金属ゲートの役割を果たす。特に、電気二重層の高キャパシタによるノーマリーオフ＆低駆動電圧に注目した。当日はこれらのシミュレーション結果を報告する。