[6p-A412-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[6p-A412-15] ダイヤモンドSGFET(溶液ゲートFET)のデバイスシミュレーション

〇(B)井山 裕太郎¹、阿部 修平¹、五十嵐 圭為¹、稲葉 優文^1,2、大井 信敬¹、新谷 幸弘^1,3、川原田 洋¹ (1.早大理工、2.名古屋大、3.横河電機)

キーワード：ダイヤモンド、電解質溶液ゲートFET、ISFET

本研究では、ダイヤモンドSGFET(電解質溶液ゲートFET)をシミュレーションした。用いたシミュレータでは液体を設定できないため、固体の物質に液体の物性値を当てはめ、疑似的に液体を再現した。電気二重層を比誘電率ε、厚さtの誘電体に置き換え、電気二重層以外の溶液部分が金属ゲートの役割を果たす。特に、電気二重層の高キャパシタによるノーマリーオフ＆低駆動電圧に注目した。当日はこれらのシミュレーション結果を報告する。