[6p-A412-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [6p-A412-2] 窒素ラジカル暴露処理で形成された窒素終端ダイヤモンドの表面構造解析

〇(D)蔭浦 泰資¹、河合 空¹、山野 颯¹、薗田 隆弘¹、Buendia Jorge¹、谷井 孝至¹、春山 盛善^2,3、山田 圭介²、小野田 忍²、加田 渉³、花泉 修³、寺地 徳之⁴、磯谷 順一⁵、Stacey Alastair⁶、河野 省三^1,7、川原田 洋^1,7 (1.早大理工、2.量研、3.群馬大、4.物材機構、5.筑波大、6.メルボルン大、7.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、窒素終端、窒素ｰ空孔中心

窒素終端ダイヤモンド表面のバンド構造が近年注目されており、表面近傍の窒素-空孔中心(NVセンタ)の負電荷安定化への応用が期待されている。本研究では、RFリモート窒素ラジカル暴露処理を用いていくつかの処理条件で窒素終端を形成した。その表面状態をX線光電子分光法(XPS)、X線吸収端微細構造(NEXAFS)により解析し、浅いNVセンタを用いて窒素終端表面が負電荷状態の安定化に寄与することを実証した。