[6p-C13-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [6p-C13-8] 縦型PN接合構造を有する装荷導波路型光変調器の作製と評価

〇前神 有里子¹、Cong Guangwei¹、大野 守史¹、岡野 誠¹、伊東 憲人²、西山 伸彦²、荒井 滋久²、山田 浩治¹ (1.産総研、2.東工大)

キーワード：シリコンフォトニクス、光変調器、装荷導波路

リブ型シリコン導波路を用いたキャリア空乏型の位相変調器は高速な変調特性を得ることができる。その中でも、縦型PN接合構造は光モードフィールドと空乏層とのオーバーラップが増大することから変調効率の向上が期待される。本研究では、リブ部としてSOI基板上にアモルファスシリコンを装荷する新規位相変調器構造のマッハ・ツェンダー変調器 (MZM) を作製し、変調特性を確認したので報告する。