The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Symposium (Oral)

Symposium » Latest Application Researches and Future Prospects of Functional Atomic Layers

[6p-C16-1~17] Latest Application Researches and Future Prospects of Functional Atomic Layers

Wed. Sep 6, 2017 1:45 PM - 7:15 PM C16 (Training Room 1)

Atsushi Ando(AIST), Yasumitsu Miyata(Tokyo Metropolitan Univ.)

5:30 PM - 5:45 PM

[6p-C16-12] Electric-field-induced insulator-to-metal transition in large-area MoS2 monolayers

Koh Ho1, Tomoyuki Yamada1, Lain-Jong Li2, Tatsuma Matsuda3, Yohei Yomogida3, Kazuhiro Yanagi3, Hiroshi Ito1, Taishi Takenobu1 (1.Nagoya Univ., 2.KAUST, 3.Tokyo Metropolitan Univ.)

Keywords:Transition metal dichalcogenides, Electric double layer transistor, Insulator-to-metal transition

原子層二硫化モリブデン(MoS2)は優れたゲート制御性と高移動度を有しており、高性能な論理回路応用等が期待されている。特に、素子応用に向けては大面積多結晶膜の導入が必要不可欠であり、その電気伝導特性の解明が重要である。今回我々は、化学気相成長した多結晶MoS2単層膜と電解質を組み合わせ、キャリア数を連続的に制御しながら電気抵抗の温度依存性と磁気抵抗効果を検証することで多結晶膜の伝導特性解明を目指した。