[6p-C16-1~17] 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

[6p-C16-12] 大面積MoS₂単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移

〇蒲 江¹、山田 知之¹、Li Lain-Jong²、松田 達磨³、蓬田 陽平³、柳 和宏³、伊東 裕¹、竹延 大志¹ (1.名大工、2.KAUST、3.首都大理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、電気二重層トランジスタ、金属-絶縁体転移

原子層二硫化モリブデン（MoS₂）は優れたゲート制御性と高移動度を有しており、高性能な論理回路応用等が期待されている。特に、素子応用に向けては大面積多結晶膜の導入が必要不可欠であり、その電気伝導特性の解明が重要である。今回我々は、化学気相成長した多結晶MoS₂単層膜と電解質を組み合わせ、キャリア数を連続的に制御しながら電気抵抗の温度依存性と磁気抵抗効果を検証することで多結晶膜の伝導特性解明を目指した。