[6p-C16-1~17] Latest Application Researches and Future Prospects of Functional Atomic Layers

[6p-C16-16] Thin film growth of tungsten disulfide by ALD using liquid precursors

〇Yukihiro Ikeda¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered material, tungsten disulfide, atomic layer deposition

層状6族遷移金属ダイカルコゲナイドはその多くがバンドギャップを持ち，低消費電力FET等の素子応用を目指した研究が行われている。その中で二硫化タングステンWS₂を用いたFETは両極動作を示す。本研究ではWS₂の薄膜成長を，比較的安全な液体前駆体を用いた原子層堆積(ALD)法により試みた。顕微ラマン分光測定により，基板温度400℃で結晶性WS₂薄膜が成長可能であることが確認された。