[6p-C16-1~17] 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

[6p-C16-16] 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長

〇池田 幸弘¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、二硫化タングステン、原子層堆積法

層状6族遷移金属ダイカルコゲナイドはその多くがバンドギャップを持ち，低消費電力FET等の素子応用を目指した研究が行われている。その中で二硫化タングステンWS₂を用いたFETは両極動作を示す。本研究ではWS₂の薄膜成長を，比較的安全な液体前駆体を用いた原子層堆積(ALD)法により試みた。顕微ラマン分光測定により，基板温度400℃で結晶性WS₂薄膜が成長可能であることが確認された。