[6p-C17-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [6p-C17-3] 多元系Sn²⁺酸化物SnNb₂O₆のp型化とキャリア生成機構

〇(D)三溝 朱音^1,2、菊地 直人¹、相浦 義弘¹、西尾 圭史² (1.産総研、2.東京理科大)

キーワード：ワイドギャップ酸化物、p型半導体