[6p-C17-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[6p-C17-9] Fabrication of High-Mobility Nanocrystal-Free a-In₂O₃:Sn Films by Magnetron Sputtering with Impurity-Mediated Amorphization Method

〇Naho Itagaki¹, Daisuke Yamashita¹, Hyunwoong Seo¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:transparent conducting oxide, amorphous, sputtering

高い表面平坦性や高いエッチング速度といった優位性から，アモルファスIn₂O₃:Sn (a-ITO)膜が注目されている．我々は，温度ではなく「不純物」を新たな制御パラメータとし結晶成長を抑制することで，a-ITO膜のi)高移動度化，ii)熱安定性の向上，iii)ナノ結晶粒の発生抑制，を同時に達成した．この新たな手法の開発は，従来に無い方法論での高品質アモルファス膜の形成を実現するものと期待される．