[6p-C23-1~16] 6.4 Thin films and New materials

[6p-C23-12] Electronic properties of transition-metal dichalcogenide thin films and heterostructures grown by molecular-beam epitaxy

〇Masaki Nakano¹, Yue Wang¹, Yuta Kashiwabara¹, Hideki Matsuoka¹, Yoshihiro Iwasa^1,2 (1.Dept. Appl. Phys., Univ. Tokyo, 2.RIKEN CEMS)

Keywords:2D materials, Transition-metal dichalcogenide, Molecular-beam epitaxy

グラフェンの発見を契機として、物質を原子層レベルにまで薄くした際に発現する特異な電子物性が注目を集めている。本講演では、代表的な2次元物質である遷移金属カルコゲナイド（TMDC）のMBE成長について、我々のアプローチを紹介すると共に、これまでに得られている様々なTMDC薄膜およびそのヘテロ構造の電子物性について、主に輸送特性の観点から概観する。