[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

[6p-C23-12] 遷移金属カルコゲナイド薄膜・へテロ構造のMBE成長と電子物性

〇中野 匡規¹、王 越¹、柏原 悠太¹、松岡 秀樹¹、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：2次元物質、遷移金属カルコゲナイド、分子線エピタキシー

グラフェンの発見を契機として、物質を原子層レベルにまで薄くした際に発現する特異な電子物性が注目を集めている。本講演では、代表的な2次元物質である遷移金属カルコゲナイド（TMDC）のMBE成長について、我々のアプローチを紹介すると共に、これまでに得られている様々なTMDC薄膜およびそのヘテロ構造の電子物性について、主に輸送特性の観点から概観する。