The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[6p-C23-1~16] 6.4 Thin films and New materials

Wed. Sep 6, 2017 1:45 PM - 6:15 PM C23 (C23)

Yoshinobu Nakamura(Univ. of Tokyo), Hiroaki Nishikawa(Kinki Univ.)

5:45 PM - 6:00 PM

[6p-C23-15] Charge-transfer interfaces between insulating transition-metal dichalcogenides

〇(M1)Yuta kashiwabara1, Masaki Nakano1, Yue Wang1, Yoshihiro Iwasa1,2 (1.Dept. Appl. Phys., Univ. Tokyo, 2.RIKEN CEMS)

Keywords:2D materials, transition-metal dichalcogenides, charge-transfer interfaces

絶縁体同士を接触させた界面における電気伝導は、良く知られたInAs/GaSbへテロ構造のみならず酸化物や有機物の界面においても幅広く観測されており、ヘリカルエッジ伝導や2次元超伝導などの興味深い物理現象の舞台を提供してきた。今回、絶縁体の遷移金属カルコゲナイド(TMDC)薄膜へテロ界面において有意な電気伝導を観測したので報告する。