[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [6p-C23-6] TiH₂エピタキシャル薄膜の配向制御と電子輸送特性評価

〇笹原 悠輝¹、清水 亮太¹、中西 利栄¹、杉山 一生¹、西尾 和記¹、大口 裕之²、折茂 慎一^2,3、一杉 太郎¹ (1.東工大物質理工、2.東北大AIMR、3.東北大金研)

キーワード：金属水素化物、エピタキシャル成長、配向制御

金属水素化物は次世代エレクトロニクス材料への応用が期待されており、そのような応用を見据え、我々のグループでは、金属水素化物のエピタキシャル成長を報告してきた。しかしながら、金属水素化物エピタキシャル薄膜の結晶方位を規定した詳細な物性研究は報告されていない。そこで本研究では (110)及び(111)配向したTiH₂エピタキシャル薄膜の作製に成功し、その配向に依存した輸送特性を観測したので報告する。