[6p-PA5-1~24] 13.10 化合物太陽電池

[6p-PA5-24] 犠牲層エッチングによるⅢ-Ⅴ族薄層/Si接合の形成

〇(M2)尹 翔至¹、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市大工)

キーワード：犠牲層エッチング、表面活性化ボンディング法、太陽電池

我々は高効率・低コスト太陽電池実現を目指し、異種材料の接合形成を可能とする表面活性化ボンディング法（SAB法）を用いてInGaP/GaAs/Si 3接合太陽電池の研究を行っている。SAB法により作製した3接合太陽電池のコストを下げるためにはGaAs基板の分離及び再利用の実現が必要不可欠である。今回我々は、予備実験としてAlAsを犠牲層として用いることにより、Si基板上のGaAs薄層の形成及びGaAs基板の分離を行った。