[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-12] MOVPE法によるn-InAs基板上n-AlGaAsSbクラッド層の成長および波長3ミクロン帯活性層構造の検討

〇山形 勇也¹、吉元 圭太¹、井上 裕貴¹、若城 玲亮¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：中赤外、有機金属化学気相成長

中赤外波長帯域のtype-Ⅰ型ヘテロ構造光デバイスの実現を目指している。前回、低温でのAlを多く含む混晶の有機金属気相成長際の炭素、酸素の混入問題をAl材料の違いから検討したが不純物の改善が見られなかった。今回、Sb材料としてトリエチルアンチモンを使用し、AlGaAsSbの低不純物化の検討と、厚膜化したAlGaAsSb上に3µm帯光源を目指した活性層材料としてInAsを成長し光学特性評価を行った