13:30 〜 15:30 [6p-PA7-12] MOVPE法によるn-InAs基板上n-AlGaAsSbクラッド層の成長および波長3ミクロン帯活性層構造の検討 〇山形 勇也1、吉元 圭太1、井上 裕貴1、若城 玲亮1、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)