[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-4] 原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価

〇上田 大貴¹、横山 祐貴¹、原口 智宏¹、山内 俊浩¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮大工)

キーワード：原子層エピタキシー法、GaAsN