[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[6p-PA7-3] Si doping mechanism in Si-GaAsN

〇(M1)Takashi Tsukasaki¹, Ren Hiyoshi¹, Naoki Shiino¹, Takuya Odaka¹, Takuya Kurosawa¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN, GaNAs, doping mechanism, activation energy

GaAsNは低い窒素組成でバンドギャップエネルギーが大きく減少する特性を持ち，GaAs基板を用いた多接合型太陽電池の1.0 eV 帯材料への期待がある。このため，pn接合を構成するSi-GaAsNのSi ドーピング特性の解明は不可欠であり，Si-GaAsNにおいて窒素組成の増大に伴い室温でのSiドナー活性化率αが大きく減少することが報告されている。我々は，一般的なSiドナーの振る舞いや先行研究での報告を総合的に加味し，Si不純物が取り込まれる機構を考慮することにより，αの窒素組成依存性の解釈を試みたので報告を行う。