[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[6p-PA7-7] Polarization anisotropy of luminescence centers in nitrogen delta-doped GaAs (111)A

〇Ruoxi Wang¹, Kyohei Matsuyama¹, Yoshiki Sakuma², Michio Ikezawa¹, Yasuaki Masumoto¹ (1.Tsukuba Univ., 2.NIMS)

Keywords:semiconductor, nitrogen delta-doped, Polarization anisotropy

GaAs(100)面の発光スペクトルには微細分裂と偏光異方性が見られるのが一般的であった。他方、GaAs(111)A面上への窒素ドープではシングルピークを示す発光中心が得られるという報告があり、ランダム偏光の光子発生に利用できる可能性がある。そこで、我々はGaAs(111)A上に窒素ドープした試料を用いて、単一発光中心の発光の偏光異方性を調べた。