[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-7] 窒素をデルタドープしたGaAs(111)A 面上の発光中心の偏光異方性

〇王 若曦¹、松山 享平¹、佐久間 芳樹²、池沢 道男¹、舛本 泰章¹ (1.筑波大物理、2.物材機構)

キーワード：半導体、窒素不純物、偏光異方性

GaAs(100)面の発光スペクトルには微細分裂と偏光異方性が見られるのが一般的であった。他方、GaAs(111)A面上への窒素ドープではシングルピークを示す発光中心が得られるという報告があり、ランダム偏光の光子発生に利用できる可能性がある。そこで、我々はGaAs(111)A上に窒素ドープした試料を用いて、単一発光中心の発光の偏光異方性を調べた。