[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-13] 低濃度p型GaN層におけるSBD特性の評価検討

〇松山 秀昭¹、上野 勝典¹、高島 信也¹、田中 亮¹、山田 永²、清水 三聡²、江戸 雅晴¹ (1.富士電機、2.産総研)

キーワード：GaN半導体、低濃度p-GaN、ショットキー

GaN半導体に対して低濃度p-GaN層の電気特性が十分には評価されていない。低濃度p-GaN層の下に高濃度p-GaN層を敷いたダブルショットキー構造により良好なSBD特性が得られた。