[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-15] n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキーゲート端照射による光電流生成

〇川津 琢也¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：半導体、ショットキー金属ゲート

ショットキー障壁光検出器は、半導体と金属薄膜により構成されており、検出エネルギーは、半導体のバンドギャップではなく、半導体‐金属ゲート界面に生ずるショットキー障壁により決められる。このため、幅広い波長の光検出が材料の選択によって可能となる。ショットキー障壁光検出器では、検出効率向上のため、裏面照射や金属ゲートの超薄膜化、光共振器の利用、ショットキー障壁の２重化など様々な工夫が施されている。本研究では、金属ゲートの端を局所的に照射することにより、ショットキー障壁の光応答が増強されることを示す。