[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-16] Si基板上縦型GaN p-nダイオードにおける電気的特性のSLSバッファ層膜厚依存性

〇中村 圭輔¹、浜田 武明¹、間瀬 駿¹、江川 孝志¹ (1.名工大院)

キーワード：窒化ガリウム、ダイオード、Si基板

本研究はSi基板上GaN縦型デバイスのオン抵抗低減を目的として、検討を行ったものである。オン抵抗を増大させる要因の１つは、中間層に用いられるSLSバッファ層の抵抗成分にある。SLSバッファ層を薄膜化させ、デバイスの抵抗を低減することを狙った。SLSバッファ層の膜厚がデバイスの電気的特性に現れる影響を調査し検討を行った。