[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-16] SLS buffer layer thickness dependence of electrical properties for a vertical GaN p-n diode on Si substrate

〇Keisuke Nakamura¹, Takeaki Hamada¹, Suguru Mase¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya inst. tech.)

Keywords:GaN, diode, Si substrate

本研究はSi基板上GaN縦型デバイスのオン抵抗低減を目的として、検討を行ったものである。オン抵抗を増大させる要因の１つは、中間層に用いられるSLSバッファ層の抵抗成分にある。SLSバッファ層を薄膜化させ、デバイスの抵抗を低減することを狙った。SLSバッファ層の膜厚がデバイスの電気的特性に現れる影響を調査し検討を行った。