[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-17] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性を用いた不揮発メモリの安定動作化

〇永瀬 成範¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物半導体、不揮発メモリ、サブバンド間遷移

ピコ秒オーダー動作の高速不揮発メモリ実現に向けて、GaN/AlN共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）の双安定性を用いた不揮発メモリの安定動作化を検討した。GaN系RTDの素子構造の改良により、30000サイクル以上のメモリ書き換え動作と2時間以上のデータ保持特性を実現した。