[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-18] Study of contact resistance reduction on ohmic contacts with dot-shaped uneven AlGaN layers for AlGaN/GaN HEMT structures

〇(M2)Takumi Watanabe¹, Shinnosuke Hisanaga¹, Takuya Hoshii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Hiroshi Iwai¹, Kazuo Tsutsui¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:HEMT structures, AlGaN / GaN, ohmic contacts

AlGaN/GaN HEMTの低抵抗オーミックコンタクト技術では、電子に対する障壁性と2DEGの高濃度誘起作用をもつAlGaN層の厚さはトレードオフである。これを克服する方法として、抵抗低減をはかる技術を提案した。凹凸構造の平面パターンが電極への電流の流入方向と平行なストライプ形状の場合に微細化による低抵抗化が促進された。そこで今回はドット形の凹凸構造について、その配置やサイズの効果などを調べた。