[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-19] Characterization of p-ch GaN MOS Structure on Polarization-Junction Substrate

〇(M2)Rumi Takayama¹, Takuya Hoshii¹, Akira Nakajima², Shinichi Nishizawa³, Hiromichi Ohashi¹, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kazuo Tsutsui¹ (1.Tokyo Tech, 2.AIST, 3.Kyushu Univ.)

Keywords:AlGaN/GaN, p-channel MOS, 2D hole gas

窒化ガリウム(GaN)は高性能なパワーデバイスとして期待されており、P/N相補型回路を実現するためにP型デバイスは重要である。そこで分極接合基板という技術による2次元正孔ガス(2DHG)を利用したPチャネルMOSFETが期待されている。今後さらなるデバイスの高性能化を目指すために界面特性の評価や解析が求められる。そこで本研究ではI-V測定や伝達特性の評価を行い、完全空乏型デバイスに類似した特性や移動度が見られたので報告する。