[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-19] 分極接合基板上PチャネルGaN MOS構造の特性評価

〇(M2)高山 留美¹、星井 拓也¹、中島 昭²、西澤 伸一³、大橋 弘通¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.産総研、3.九州大)

キーワード：AlGaN/GaN、PチャネルMOS、2次元正孔ガス

窒化ガリウム(GaN)は高性能なパワーデバイスとして期待されており、P/N相補型回路を実現するためにP型デバイスは重要である。そこで分極接合基板という技術による2次元正孔ガス(2DHG)を利用したPチャネルMOSFETが期待されている。今後さらなるデバイスの高性能化を目指すために界面特性の評価や解析が求められる。そこで本研究ではI-V測定や伝達特性の評価を行い、完全空乏型デバイスに類似した特性や移動度が見られたので報告する。