2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年9月6日(水) 16:00 〜 18:00 PA8 (国際センター1F)

16:00 〜 18:00

[6p-PA8-21] Mgイオン注入GaN層の容量測定による活性化評価

高島 信也1、上野 勝典1、田中 亮1、松山 秀昭1、江戸 雅晴1 (1.富士電機)

キーワード:窒化ガリウム、GaN、イオン注入

縦型GaNパワーデバイス実用化に向け、イオン注入によるp型形成が重要である。Mg注入層の活性化状況を評価するために、17乗台のp型エピへ1E16cm-3濃度のMg注入を行い、ショットキー容量評価を行った。注入後は容量値が低く空乏化しているが、1300℃熱処理後はp型CV特性が観測された。しかし、Na分布の解析から表面側でNa低下が見られ、補償欠陥の残留影響が確認された。