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[6p-PA8-21] Mgイオン注入GaN層の容量測定による活性化評価
キーワード:窒化ガリウム、GaN、イオン注入
縦型GaNパワーデバイス実用化に向け、イオン注入によるp型形成が重要である。Mg注入層の活性化状況を評価するために、17乗台のp型エピへ1E16cm-3濃度のMg注入を行い、ショットキー容量評価を行った。注入後は容量値が低く空乏化しているが、1300℃熱処理後はp型CV特性が観測された。しかし、Na分布の解析から表面側でNa低下が見られ、補償欠陥の残留影響が確認された。