[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-21] Mgイオン注入GaN層の容量測定による活性化評価

〇高島 信也¹、上野 勝典¹、田中 亮¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機)

キーワード：窒化ガリウム、GaN、イオン注入

縦型GaNパワーデバイス実用化に向け、イオン注入によるp型形成が重要である。Mg注入層の活性化状況を評価するために、17乗台のp型エピへ1E16cm-3濃度のMg注入を行い、ショットキー容量評価を行った。注入後は容量値が低く空乏化しているが、1300℃熱処理後はp型CV特性が観測された。しかし、Na分布の解析から表面側でNa低下が見られ、補償欠陥の残留影響が確認された。