[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-22] GaN中Mgイオン注入の横方向拡散評価

〇田中 亮¹、高島 信也¹、松山 秀昭¹、上野 勝典¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入

縦型GaNパワーデバイスの研究開発が活発になっている。特に、p型イオン注入は重要な課題である。ガードリング等の構造をイオン注入によって形成する上で、横方向拡散の程度を把握する必要がある。本報告では、電気的評価によって、イオン注入したMgの横拡散について評価した。
未注入領域であるn-GaNの幅が異なる素子の順方向電流密度より、Mg横拡散距離は注入深さの半分程度で、特に大きな横拡散は生じないことを確認した。