[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-23] Mg enhanced diffusion into GaN layer on GaN substrate

〇Toshikazu Yamada¹, Noriyuki Taoka¹, Tokio Takahashi¹, Satoshi Yamada¹, Mitsuaki Shimizu¹ (1.GaN-OIL AIST)

Keywords:GaN, Mg, enhanced diffusion

イオン注入でGaN マトリックスが受けたダメージを回復させるアニーリング過程は大変重要ではあるが、GaNマトリックスに注入ダメージの存在しない状態でのMg 拡散過程には未解明の部分が多かった。高すぎるアニーリング温度は、既存デバイス構造を再拡散により、崩壊させる可能性が高いため、GaN エピ膜中のMg の拡散過程を調べたが、従来報告されていた拡散過程以外に増速拡散過程が存在することが判明した。